一个3.0微米像素和1.5微米像素组合互补的金属氧化物半导体图像传感器,用于高动态范围的视觉超出106dB
Satoko Iida1, Daisuke Kawamata1, Yorito Sakano1
1Sony Semiconductor Solutions Corporation, Atsugi-shi 243-0014, Japan.
Sensors (Basel, Switzerland)
|November 14, 2023
概括
这项研究引入了一种新型的CMOS图像传感器,采用正方形像素,实现高分辨率和高动态范围 (HDR),用于高级查看和传感. 该传感器在各种照明条件下提供了卓越的性能,减少了运动模糊,并实现了精确的对象检测.
科学领域:
- * 电气工程 电气工程
- * 计算机视觉 计算机视觉
- * 传感器技术 * 传感器技术
背景情况:
- * 传统的图像传感器在动态范围和运动器件减少方面面临限制.
- * 视觉和传感应用需要高分辨率成像,在各种照明条件下准确识别对象.
研究的目的:
- * 提出和描述一个新的CMOS图像传感器架构,以增强查看和传感能力.
- * 在单个传感器设计中实现高分辨率,高动态范围 (HDR) 和运动工件减少.
主要方法:
- *开发了一个CMOS图像传感器,其像素架构包括1.5μm平方像素和3.0μm平方像素,具有像素容量.
- *为正方形像素实现了一个分阶梯间距阵列安排.
- *同时读取多个信号的不同曝光时间,以最大限度地减少动作模糊,并实现HDR.
主要成果:
- * 实现了106 dB的高动态范围 (HDR) 和有效的LED闪减轻 (LFM).
- * 演示了无动作文物和无动作模糊图像,对于识别移动主体至关重要.
- * 确认精确识别和检测移动主体,在不同的照明环境中具有良好的色彩可重现性.
结论:
- * 拟议的正方形像素架构使单个图像传感器能够满足查看和传感应用的苛刻要求.
- *这种新的传感器设计在具有挑战性的条件下显著提高了成像性能,包括低光和高对比度场景.
- * 传感器的功能非常适合用于汽车传感,监控和移动成像等应用.
