高性能自动供电 WSe2/ReS2 光探测器通过表面电荷转移兴奋剂启用
Yaxin Zhan1, Zhangting Wu1, Peiyu Zeng2
1Lab for Nanoelectronics and NanoDevices, Department of Electronics Science and Technology, Hangzhou Dianzi University, Hangzhou 310018, China.
ACS applied materials & interfaces
|November 15, 2023
概括
表面电荷转移兴奋剂增强了用于光检测的二维范德瓦尔斯异构结构. 这种方法显著提高了光检测器的性能,使先进的光电子设备的响应时间更快,灵敏度更高.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 凝聚物质物理学 凝聚物质物理学
- 纳米技术 纳米技术
背景情况:
- 二维 (2D) 范德瓦尔斯异构结构对于光检测至关重要,但有限的响应时间和光响应性阻碍了高灵敏度的应用.
- 表面电荷转移兴奋剂 (SCTD) 提供了一种简单,有效和保持格子的方法来兴奋低维材料.
研究的目的:
- 研究使用SCTD用于高性能光探测器的WSe2/ReS2异质连接的性能提升.
- 通过WSe2/ReS2异质连接的SCTD制造和表征p-i-n连接光探测器.
主要方法:
- 制造WSe2/ReS2异质连接的工程.
- 使用F4-TCNQ分子应用表面电荷转移兴奋剂,以创建一个p-i-n结构.
- 光探测器性能的表征,包括响应性,检测性,外部量子效率,响应时间和切断频率.
主要成果:
- SCTD降低了舒特基屏障,并增加了WSe2/ReS2异质连接中的内置电场.
- 光二极管显示出显著增强的响应能力 (0.08到0.29A/W),检测能力 (1.89×1012到8.02×1012斯) 和外部量子效率 (12.67%到46.29%).
- 该p-i-n结构实现了快速的光伏响应时间 (7.56/6.48μs) 和超过85kHz的3dB切断频率.
结论:
- SCTD是开发基于2D范德瓦尔斯异构结构的高性能,低功耗光电子设备的有效策略.
- 增强的光检测器性能证明了SCTD在先进的光检测应用中的潜力.
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