P-N junction
Schottky Barrier Diode
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Kenji Shibata1, Masaki Yoshida2, Kazuhiko Hirakawa3,4
1Department of Electrical and Electronic Engineering, Tohoku Institute of Technology, 35-1 Yagiyama, Kasumi-cho, Taihaku-ku, Sendai, 982-8577, Japan. kshibata@tohtech.ac.jp.
我们使用单个合体量子点制造了室温单电子晶体管. 这些设备表现出独特的电子特性,对量子信息和光电子有很大的前景.
科学领域:
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研究的目的:
主要方法:
主要成果:
结论: