MoS2/V2O3的接口工程@C-rGO复合材料具有伪电容增强的/纳离子储存动力学

Yu Rao1,2, Kongjun Zhu1, Guoliang Zhang3

  • 1State Key Laboratory of Mechanics and Control for Aerospace Structures, College of Aerospace Engineering, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, Nanjing 210016, China.

PubMed
概括

工程设计的硫化 (MoS2) 和氧化瓦纳 (V2O3) 混合结构与碳石墨烯增强离子和离子电池的性能. 这种接口设计可以提高电极的稳定性和导电性,从而更好地储存能量.