控制合成无双矿合体纳米晶的非挥发性电阻记忆器件的控制合成
Xingyu Liu1, Zhen Fan2, Yuhui Zheng1
1School of Chemistry, Guangzhou Key Laboratory of Analytical Chemistry for Biomedicine, South China Normal University, Guangzhou 510006, P. R. China.
ACS applied materials & interfaces
|November 21, 2023
概括
这项研究为无双矿纳米晶体提供了一种简单的湿化学合成,使得高性能电阻记忆器件的可调整形态和带结构成为可能.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术纳米技术
- 固态化学 固态化学
背景情况:
- 无双矿,如Cs2AgBiBr6,是有希望的,但具有可控性质的合成具有挑战性.
- 可调的形态和带结构对于先进的电子应用至关重要.
研究的目的:
- 开发一种易于用于无双矿纳米晶的湿化学合成方法.
- 为了实现可控的形态和带结构调.
- 制造高性能非挥发性电阻式内存设备.
主要方法:
- 简单的Cs2AgBiBr6和Cs2AgInxBi1-xBr6纳米晶体的湿化学合成.
- 调整反应温度 (150-190°C) 以控制 Cs2AgBiBr6 的形态 (立方形,六角形,三角形).
- 加入来制造合金Cs2AgInxBi1-xBr6纳米晶体,带有可调节的带间隙.
主要成果:
- 控制合成Cs2AgBiBr6纳米晶体具有不同的形态.
- 的加入诱导了间接到直接的带隙过渡,并增强了光发光.
- 制造的Ag/聚甲烯酸@Cs2AgIn0.25Bi0.75Br6/ITO电阻式内存设备显示低工作电压 (~0.17V) 和出色的稳定性 (>10,000循环).
结论:
- 开发的湿化学方法允许轻松和可控合成无双矿纳米晶体.
- 这些纳米晶体适合制造具有良好的突触性质的高性能电阻式内存设备.
- 这项工作为基于矿的先进无电子产品铺平了道路.
