对14纳米FINFET设备中闪噪声的系统性调查,用于随机计算应用
Danian Dong1,2, Jinru Lai1,3, Yan Yang4
1State Key Laboratory of Fabrication Technologies for Integrated Circuits, Institute of Microelectronics of the Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China.
Micromachines
|November 25, 2023
概括
研究人员发现,缩小通道面积或降低14纳米FinFET设备的温度可以显著增加闪噪声 (1/f噪声). 这提高了随机计算 (SC) 的准确性,并简化了随机数生成器 (SNG) 电路.
科学领域:
- 半导体设备物理学 半导体设备物理
- 随机计算是一种随机计算.
背景情况:
- 随机计算 (SC) 利用噪声进行高效的计算.
- 闪噪声 (1/f噪声) 由于其高密度和在逻辑设备中使用,从而避免额外的制造步骤而被优先考虑.
- 现有的研究经常使用新兴的存储器设备作为源.
研究的目的:
- 系统和统计地研究14nm FinFET设备中的1/f噪声特征.
- 确定用于SC应用增强1/f噪声密度的方法.
- 在SC电路设计中为设备选择提供指导.
主要方法:
- 在14nm FinFET设备中对1/f噪声进行统计分析.
- 调查设备通道面积缩放对噪声密度的影响.
- 检查环境温度对1/f噪声特征的影响.
主要成果:
- 缩小14nm FinFET设备的通道面积可以增加1/f的噪声密度.
- 降低环境温度也有效地增加了1/f噪声密度.
- 这些发现对于提高SC系统准确性和SNG电路复杂性至关重要.
结论:
- 14纳米的FinFET设备为SC提供了可行的,工业相关的源.
- 设备缩放和温度控制是优化SC的1/f噪声的关键策略.
- 该研究为设计高效准确的SC系统提供了宝贵的见解.
