温度和冲击角度对6H-SiC辐射级联效应的影响:分子动力学模拟
Yaolin Chen1, Hongxia Liu1, Cong Yan1
1Key Laboratory for Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices of Education, School of Microelectronics, Xidian University, Xi'an 710071, China.
Micromachines
|November 25, 2023
概括
这项研究揭示了温度和入射角如何影响碳化 (SiC) 设备中的辐射损伤. 较高的温度增加了弗伦克尔对缺陷,而45°的冲击角度将SiC半导体的总缺陷降到最低.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 半导体物理 半导体物理
- 核工程 核工程是指核工程.
背景情况:
- 碳化 (SiC) 设备对于像月球表面这样的极端环境至关重要.
- 辐射位移损伤可以降低SiC半导体的性能.
- 了解这些影响对于在太空中可靠的设备操作至关重要.
研究的目的:
- 研究温度对6H-SiC辐射级联效应的影响.
- 分析发生角度如何影响6H-SiC中的缺陷形成.
- 量化缺陷类型及其在不同条件下的分布.
主要方法:
- 采用分子动力学模拟来模拟辐射级联效应.
- 模拟的6H-SiC在100K至450K的温度下进行模拟.
- 与Z轴相比,各种各样的冲击角度从8°到75°.
主要成果:
- 观察到峰值弗伦克尔对缺陷和温度之间的线性相关性.
- 发现Frenkel对重组取决于局部温度和碰撞级联聚合.
- 发现发生角度最初抑制,然后增强缺陷的产生,45°产生最少的缺陷.
结论:
- 温度线性影响 弗伦克尔对缺陷在6H-SiC中的峰值.
- 撞击角度显著改变缺陷类型和数量,45°是最大限度地减少损坏的最佳选择.
- 高发生角度 (75°) 促进更大的缺陷集群和反集群.
关键词:
6H-SiC 6H-SiC 6H-SiC 6H-SiC 6H-SiC 6H-SiC 6H-SiC 6H-SiC 6H-SiC 6H-SiC 6H-SiC 6H-SiC 6H-SiC 6H-SiC 6H-SiC 6H-SiC 6H-SiC 6H-SiC 6H-SiC 6H-SiC 6H-SiC 6H-SiC 6H-SiC 6H-SiC 6H-SiC 6H-SiC 6H-SiC 6H-SiC 6H-SiC 6H-SiC 6H-SiC 6H-SiC 6H-SiC 6H-SiC 6H-SiC 6H-SiC 6H-SiC 6H-SiC 6H-SiC 6H-SiC 6H-SiC 6H-SiC 6H-SiC 6H-SiC 6H-SiC 6H-SiC 6H-SiC 6H-SiC 6H-SiC 6H-SiC 6H-SiC 6H-SiC-SiC 6H-SiC is also known as the这就是PKA PKA.移位损伤 移位损伤发生角度的发生角度.温度的温度的温度的温度的温度更多相关视频
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