关于磁性和旋转装置的特殊问题,第II卷的编辑
Viktor Sverdlov1, Seung-Bok Choi2,3
1Christian Doppler Laboratory for Nonvolatile Magnetoresistive Memory and Logic, Institute for Microelectronics, TU Wien, 1040 Vienna, Austria.
Micromachines
|November 25, 2023
概括
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的小型化面临着挑战. 互补金属氧化物半导体 (CMOS) 设备缩放中的这些问题正在接近和,影响集成电路的进步.
科学领域:
- 半导体设备物理学 半导体设备物理
- 集成电路技术 集成电路技术
- 材料科学是一种材料科学.
背景情况:
- 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的小型化推动了集成电路 (IC) 的发展.
- 持续扩展MOSFET对于提高现代IC的速度,性能,密度和复杂性至关重要.
研究的目的:
- 为了突出补充金属氧化物半导体 (CMOS) 设备微型化的持续技术挑战.
- 讨论这些挑战对集成电路未来缩小规模的影响.
主要方法:
- 对MOSFET和CMOS缩放的当前文献的综述.
- 分析半导体设备制造中的技术障碍.
- 评估微型化限制对IC性能的影响.
主要成果:
- 尽管正在进行小型化工作,但重大技术挑战阻碍了CMOS设备的进一步扩展.
- 这些挑战正在接近和点,限制了缩小规模的传统好处.
结论:
- 半导体技术中微型化的不追求正面临着根本性的物理和制造限制.
- 需要创新的方法来克服这些障碍,并保持集成电路技术的进步.
