六角化作为化在近紫外线发光二极管中的中间层,用于化在近紫外线发光二极管中的长轴生长
1R&D Center, Flyer, Daejeon 34141, Republic of Korea.
Materials (Basel, Switzerland)
|November 25, 2023
概括
六角化 (h-BN) 能够使化 (GaN) 层生长平稳. 虽然h-BN上的GaN显示的结晶度低于GaN,但它证明了NUV-LED设备的实际性能.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 半导体物理 半导体物理
- 纳米技术 纳米技术
背景情况:
- 化 (GaN) 是光电子设备的关键半导体.
- 开发具有成本效益和高效的GaN增长方法至关重要.
- 探索替代蓝宝石的替代基板是一个活跃的研究领域.
研究的目的:
- 研究化 (GaN) 层在六角化 (h-BN) 基板上的直接生长.
- 为了评估在h-BN上生长的GaN的表面形态和结晶性.
- 评估使用在h-BN上生长的GaN制造的设备的光电性能.
主要方法:
- 在h-BN和蓝宝石基板上的GaN层的生长.
- 表面形态分析. 表面形态分析.
- 光发光光谱学和X射线衍射用于结晶性评估.
- 接近紫外线发光二极管 (NUV-LED) 结构的制造和测试.
主要成果:
- 在h-BN上成功生长了具有均,光滑表面形态的GaN层.
- 在h-BN上种植的GaN与在蓝宝石上种植的GaN相比表现出较低的结晶度.
- 使用h-BN上的GaN制造的NUV-LED设备证明了成功的光电性能.
结论:
- 六角化 (h-BN) 显示出作为直接GaN生长的可行基质的潜力.
- 尽管晶度较低,但h-BN上的GaN可以在光电子设备中实际应用.
- 进一步的研究可能会优化h-BN上的GaN生长,以改善结晶性.
