100Gbps的PAM4超薄光探测器通过微传输打印在SOI平台上集成
Optics express
|November 29, 2023
概括
我们将InGaAs光探测器集成到在绝缘体上的平台上,使用微转印. 这使得100 Gb/s的高速光通信成为可能,为先进的光子集成电路铺平了道路.
科学领域:
- 光子学 是一个光子学.
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 电气工程 电气工程
背景情况:
- III-V主动设备的可扩展集成对于在绝缘体 (SOI) 光子集成电路至关重要.
- 现有的方法在实现高带宽和紧设备集成方面面临挑战.
研究的目的:
- 展示一种可扩展的方法,将紧的InGaAs光探测器 (PD) 集成到500nm SOI平台上.
- 使用集成设备实现高速数据通信.
主要方法:
- 利用直接粘合微传输打印工艺将预制 InGaAs PD 优惠券集成到 SOI 平台上.
- 将PD与波导相连接,使用头,格子和 evanescent 合方案.
主要成果:
- 实现的响应率为0.13 A/W (股),0.3 A/W (网格) 和0.6 A/W (电源合).
- 证明了50Gb/s的数据速率与开启关闭键和100Gb/s与四级脉冲振幅调制 (PAM4).
- 高密度集成的潜力,每75毫米的InP晶圆产生大约100万个设备.
结论:
- 微传输打印工艺使InGaAs PDs在SOI上的有效集成成为可能.
- 证明的高速性能适用于先进的光通信系统.
- 这种集成方法可以扩展到其他III-V主动设备,如调制器和激光器.
