剪切变形对单层SnS2对Mg吸附的影响的第一原则研究
Mengting Ma1, Guili Liu2, Wei Ran1
1College of Architecture and Civil Engineering, Shenyang University of Technology, Shenliao Westroad Economic and Technological Development District, No.111, Shenyang, Liaoning, People's Republic of China.
Journal of molecular modeling
|November 30, 2023
概括
这项研究研究了在剪切变形下S-空缺缺陷SnS2上的Mg吸附. 剪切变形通过红移吸收和反射峰值来增强紫外线光的利用,改善材料性能.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 凝聚物质物理学 凝聚物质物理学
- 计算材料科学科学 计算材料科学
背景情况:
- 研究了Mg原子吸附在S空缺缺陷SnS2上的结构稳定性,电子结构和光学特性.
- 探索剪切变形对这些属性的影响.
- 使用密度函数理论 (DFT) 的第一原则进行系统分析.
研究的目的:
- 系统地研究剪切变形对S空缺缺陷SnS2.2上Mg吸附的剪切变形的影响.
- 为了确定Mg原子的最佳吸附点.
- 在剪切应力下分析电子和光学性能变化.
主要方法:
- 采用密度函数理论 (DFT),使用材料工作室内的CASTEP模块.
- 使用Perdew-Burke-Ernzerhof (PBE) 通用梯度近似 (GGA) 进行交换相关性能量.
- 模拟了一个3x3x1 SnS2系统,其中有一个S空位和被吸附的Mg原子,应用剪切变形.
主要成果:
- S-空位显著减少了SnS2的带间隙,将其从直接变为间接半导体.
- 最佳的Mg吸附发生在S原子上方,导致最稳定的配置.
- 剪切变形引入了杂质能量水平,减少了靠近费米水平的带间隙,并将光学吸收/反射峰值移向紫外线区域.
结论:
- 在S空缺缺陷SnS2上的Mg吸附会改变其电子和光学特性.
- 剪切变形被证明可以增强材料在紫外线应用中的潜力.
- 该研究提供了对对光电子应用的SnS2特性调整的见解.
