概括
我们开发了一种新的光电探测器,使用原子层沉积的氧化被动化. 这显著降低了暗电流密度,提高了红外成像应用的性能.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 半导体物理 半导体物理
- 光电学是指光电子产品.
背景情况:
- 扩展短波红外 (eSWIR) 光探测器对于先进的成像技术至关重要.
- 实现低暗电流密度对于高性能光电探测器至关重要.
- 在As/GaSb/AlSb超级网格中,可以进行eSWIR检测.
研究的目的:
- 为了研究原子层沉积 (ALD) Al2O3被动化对InAs/GaSb/AlSb超级晶格光检测器的影响.
- 为了减少黑暗电流密度并提高光电探测器的性能.
- 评估被动光探测器对于eSWIR成像应用的适用性.
主要方法:
- 使用InAs/GaSb/AlSb超级网格制造P-B-i-N光电探测器.使用InAs/GaSb/AlSb超级网格.
- 应用ALD Al2O3用于装置被动化.
- 光探测器性能的表征,包括黑暗电流密度,响应能力,量子效率和室温特异性检测能力.
主要成果:
- 与非被动化设备相比,ALD Al2O3被动化将暗电流密度降低了38%.
- 光探测器在300K时呈现出1.8微米的切断波长.
- 达到0.44A/W的室温峰值响应率和1.08×10^11cm·Hz^1/2/W的特定检测能力.
结论:
- ALD Al2O3被动化是一种有效的方法,用于降低InAs/GaSb/AlSb超晶格光探测器中的暗电流密度.
- 开发的光电探测器在eSWIR应用中表现出卓越的性能特性.
- 这项技术对制造用于成像的先进eSWIR焦平面阵列具有前途.
