对基于AlGaN的深紫外线发光二极管的高反射性p电极的研究

科学领域:

• 材料科学 材料科学 材料科学
• 光电学是指光电子产品.
• 半导体设备 半导体设备

背景情况:

• 基于AlGaN的深紫外线发光二极管 (DUV-LED) 需要高效的p电极设计以获得最佳性能.
• 当前的p电极材料在深紫外光谱中经常面临反射率和效率的限制.

研究的目的:

• 开发一种高度反射的基于Al的p电极,用于DUV-LED,使用一种新的技术.
• 这不是牺牲.
• 方法. 方法. 方法.
• 评估这种反射p电极对DUV-LED光学和电气特性的影响.

主要方法:

• 制造以Al为基础的p电极,使用Al的制造方法.
• 这不是牺牲.
• 技术. 技术. 在技术.
• 在深紫外线光谱区域 (低于300 nm) 进行光学反射度测量.
• 制造的DUV-LED的电性能测试,包括电阻和工作电压.
• 光输出功率,外部量子效率 (EQE) 和壁插头效率 (WPE) 的表征.

主要成果:

• 这是一个很棒的节目,这是一个很棒的节目.
• 这不是牺牲.
• 在DUV区域中,p电极实现了大约90%的光学反射率.
• 与Ni / Au,ITO和Pd接触相比,观察到p接触电阻和工作电压略有增加.
• 尽管有小的电气权衡,但在光输出功率和EQE方面取得了显著的改善.
• 通过结构优化,获得了1.73%的峰值EQE.
• 对于 DUV-LED,在低电流下显示出更高的 WPE.
• 这不是牺牲.
• 与Ni/Au.Au.相比,p电极的使用情况不同.

结论:

• 这是一个很棒的节目,这是一个很棒的节目.
• 这不是牺牲.
• 这种方法为制造DUV-LED中的高度反射的p电极提供了一个有前途的方法.
• 这种技术提高了光学性能,从而提高了光输出功率和EQE.
• 开发的反射p电极显示了推进DUV-LED技术的潜力,特别是在较低的工作电流下.