通过通过浅挖的形坑阵列通过表面等离子提高发光二极管的光学连贯性
Optics express
|December 2, 2023
概括
研究人员通过将量子井与表面等离子体合来增强发光二极管 (LED) 晶片中的光连贯性. 这种等离子LED方法改善了光发射特性,并提供了一种产生部分连贯光的新方法.
科学领域:
- 光电学是指光电子产品.
- 塑制剂是一种塑制剂.
- 半导体设备 半导体设备
背景情况:
- 发光二极管 (LED) 是重要的光电子设备.
- 提高LED发射光的连贯性是一个正在进行的研究领域.
- 表面等离子体共振为操纵光物质相互作用提供了潜在的可能性.
研究的目的:
- 研究多个量子井和表面等离子体的合,以提高LED晶片中的光相干性.
- 展示一种用于从LED产生部分连贯光的新型架构.
主要方法:
- 在基于化 (GaN) 的LED晶圆上,用蒸发的银 (V-Ag) 制造浅蚀刻的形坑阵列.
- 使用角度分辨率的光谱来描述空间连贯性.
- 时间连贯长度的测量.
主要成果:
- 与平面晶圆相比,V-Ag晶圆表现出明显改善的空间连贯性.
- 发现V-Ag晶圆的时间连贯长度是V-Ag晶圆的1.4倍.
- 连贯性增强的晶圆显示出异型和偏向性排放特征.
结论:
- 量子井与表面等离子体的合有效地提高了LED晶圆中的光连贯性.
- V-Ag架构提供了一种简单的方法来实现部分连贯的光发射.
- 这项研究为等离子体LED开发和部分连贯光产生开辟了新的途径.


