一个新的原子去除模型用于化学机械抛光,使用基于分子动态的开发的中孔外/核心磨料
Zhensong Liu1, Zhenyu Zhang1, Junyuan Feng2
1State Key Laboratory of High-Performance Precision Manufacturing, Dalian University of Technology, Dalian 1160214, China. zzy@dlut.edu.cn.
Nanoscale
|December 5, 2023
概括
新的半孔二氧化磨料提高了化学机械抛光 (CMP) 的性能,同时减少了对环境的影响. 这种绿色泥提高了表面粗度和材料去除率,为化抛光提供了可持续的替代方案.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 化学工程是化学工程的重要组成部分.
- 纳米技术 纳米技术
背景情况:
- 化学机械抛光 (CMP) 对于半导体制造至关重要,但面临着环境问题.
- 传统的CMP泥通常使用固体磨料,效率和环境影响有限.
研究的目的:
- 开发一种新的绿色CMP泥,使用半孔外/核心二氧化磨料.
- 提高抛光性能 (表面粗度,材料去除率) 并减少环境污染.
主要方法:
- 准备半孔外/核心二氧化磨料.
- 开发一种含有,过氧化和碳酸的绿色CMP泥.
- 用于化二氧化抛光的泥的应用,然后测量表面粗度和材料去除率.
- 分子动力学 (MD) 模拟以建模原子移除机制.
主要成果:
- 表面粗度 (Sa) 从0.347纳米降低到0.253纳米.
- 与传统的磨料相比,材料去除率 (MRR) 从70到127nm min-1增加.
- MD模拟提出了一种用于中孔磨料的新型原子去除模型,抑制表面缺陷并促进均的原子去除.
结论:
- 半孔二氧化磨料提供卓越的抛光性能和减少环境足迹.
- 半孔结构促进了均的原子去除,并抑制了表面缺陷的形成.
- 这种方法代表了可持续CMP技术的重大进步.
