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Updated: Jul 9, 2025

Nanofabrication of Gate-defined GaAs/AlGaAs Lateral Quantum Dots
Published on: November 1, 2013
Hoon Ju Lee1,2, Myeonggi Choe3,4, Weiguang Yang1
1Department of Chemistry, Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST), Ulsan 44919, Republic of Korea.
我们通过控制相位过渡来合成重新合的WS2单层量子点 (MQD). 这1T是1T.
科学领域:
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主要成果:
结论: