通过光电流分析对溶液处理的IZO薄膜晶体管中捐赠者样状态分布的调查
Dongwook Kim1, Hyeonju Lee1, Kadir Ejderha2
1School of Information Science, Hallym University, Chuncheon 24252, Republic of Korea.
Nanomaterials (Basel, Switzerland)
|December 8, 2023
概括
这项研究量化了氧化 (IZO) 薄膜晶体管 (TFT) 中的捐赠者样状态. 氧气空缺和弱键形成重组生成中心,对于理解IZO半导体行为和提高设备稳定性至关重要.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 半导体物理 半导体物理
- 设备工程 设备工程
背景情况:
- 溶液处理的氧化物 (IZO) 薄膜晶体管 (TFT) 对于电子显示器至关重要.
- 了解状态密度 (DOS) 对于优化IZO半导体性能和稳定性至关重要.
- 与捐赠者类似的国家在IZO TFT中显著影响收费运输和可靠性.
研究的目的:
- 量化分析IZO半导体中类似供体状态的分布.
- 调查度对状态密度 (DOS) 的影响.
- 确定IZO中类似捐助国的根本起源.
主要方法:
- 利用光子能量辐射进行分析.
- 采用光激发电荷采集光谱 (PECCS) 和光电流诱导的DOS光谱 (PIDS) 来估计类似捐赠体状态密度.
- 在IZO半导体中的度不同.
主要成果:
- 确定重组生成 (R-G) 中心能量 (ET) 始终在3.26 eV左右,独立于的度.
- 确定了Zn-O结构中的弱键和氧空缺,作为R-G中心的主要来源.
- 建立了RG中心与捐赠者样状态分布之间的相关性.
结论:
- 薄弱的债券和空缺的氧气是IZO中类似捐助国的根本原因.
- 这种理解对于改善IZO TFT中的电荷传输机制和设备稳定性至关重要.
- 结果为提高可靠性提供了见解,以应对负偏差照明压力,先进的显示技术等问题.
