在MOCVD的GaN模板上进行2D材料辅助的GaN增长及其脱皮策略
Hoe-Min Kwak1, Jongil Kim2, Je-Sung Lee1
1School of Electrical Engineering and Computer Science, Gwangju Institute of Science and Technology (GIST), 123 Cheomdangwagi-ro, Buk-gu, Gwangju 61005, Republic of Korea.
ACS applied materials & interfaces
|December 12, 2023
概括
这项研究展示了一种使用二维材料生长和剥离化 (GaN) 独立膜的新方法. 该技术在高温生长过程中保护2D材料,使得GaN脱皮成功.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术纳米技术
- 半导体制造业 半导体制造业
背景情况:
- 来自2D材料的独立膜使用范德瓦尔斯 (vdW) 表,准-vdW表和远程表.
- 使用这些方法制造独立的化 (GaN) 是具有挑战性的,因为高温金属有机化学蒸气沉积 (MOCVD) 造成的二维材料损坏.
研究的目的:
- 在2D材料/GaN模板上开发GaN生长和脱皮的稳定方法.
- 为了克服高温MOCVD在GaN合成过程中损坏2D材料的局限性.
主要方法:
- 石墨烯和六角化 (h-BN) 被转移到GaN模板上.
- 在750°C和900°C进行了GaN的两步MOCVD生长过程.
- 在GaN生长过程中,2D材料充当了保护层.
主要成果:
- 在高温MOCVD过程中,2D材料有效地保护了底层的GaN模板.
- 完整的2D材料使得成长的GaN.能够成功地脱皮.
- 该研究证实了VDW表和远程表原理的可行性.
结论:
- 这种方法可以通过在MOCVD过程中保护2D材料来生产独立的GaN膜.
- 该方法克服了与二维材料降解和GaN脱皮相关的先前挑战.
- 这些发现扩大了VDW表和远程表技术的适用性.
