基于ZnO/多孔异构的自动供电,宽光谱UV响应外平面光探测器
Bhanu Prakash Bisht1,2, Vijaykumar Toutam1,2, Sanjay R Dhakate1,2
1Academy of Scientific and Innovative Research (AcSIR), CSIR-National Physical Laboratory, Dr K S Krishnan Marg, New Delhi 110012, India.
Nanotechnology
|December 12, 2023
概括
这项研究探讨了ZnO/多孔光探测器,揭示了有缺陷的SiOx层增强了紫外线反应能力. 该设备在自动供电条件下表现出快速响应时间和高检测能力.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术 纳米技术
- 半导体物理 半导体物理
背景情况:
- ZnO/多孔 (p-Si) 异质连接用于光电子应用.
- 了解中间层的作用对于优化设备性能至关重要.
研究的目的:
- 为了研究ZnO/p-Si异质连接的光响应特性.
- 分析有缺陷的氧化 (SiOx) 中间层对紫外线检测的影响.
- 在自动供电条件下评估设备性能.
主要方法:
- 使用电化学沉积制造ZnO/p-Si异质连接.
- 使用X射线衍射 (XRD),紫外线吸收和光发光 (PL) 谱学的表征.
- 光响应测量包括光谱选择性,响应性,检测性和短暂响应.
主要成果:
- XRD证实了受p-Si基质影响的ZnO薄膜生长.
- 紫外线和PL光谱显示吸收和排放特征,缺陷峰值表明SiOx层.
- 光探测器在自动供电条件下表现出显著的响应能力 (527 mA W-1 在266 nm) 和探测能力 (2.5 × 10 斯在266 nm),具有快速升降时间 (67/65 ms 在266 nm).
结论:
- 在266nm的增强响应性归因于SiOx中间层中的缺陷.
- 光电流的产生主要是由于穿过ZnO/SiOx/p-Si异质连接的道.
- 制造出来的设备显示了对高效的紫外线检测应用的承诺.


