概括
本研究介绍了一种新的量子级联激光器 (QCL),具有广泛的调范围和高输出功率,用于中波红外光谱. InAlAs/InGaAs/InP激光器实现了广泛的光谱覆盖,这对于分析分子指纹至关重要.
科学领域:
- 半导体激光器半导体激光器
- 量子级联激光器 量子级联激光器
- 中波红外技术的中波红外技术
背景情况:
- 中波红外 (MWIR) 中分子的宽带吸收光谱需要广泛调节的激光器进行全面分析.
- 现有的可调节激光系统往往难以在一次扫描中覆盖整个MWIR频谱,从而限制了它们的应用范围.
研究的目的:
- 报告一种新的压力平衡的InAlAs/InGaAs/InP量子级联激光 (QCL) 结构.
- 为了实现MWIR应用的高输出功率和大约8.9微米的广泛调范围.
主要方法:
- 使用对角过渡活性区域制造压力平衡的InAlAs/InGaAs/InP QCL结构.
- 激光性能的表征,包括脉冲和连续波 (CW) 输出功率,壁插头效率和外部空洞调整范围.
主要成果:
- 在室温下,最大脉冲光学功率为4W,墙上插头效率为11.7%.
- 4毫米激光器的最大CW双面功率在25°C时为1.2W.
- 外腔调整范围从7.71微米到9.15微米 (脉冲) 和8微米到8.9微米 (CW).
- 在整个外腔频谱中,CW功率超过200mW.
结论:
- 开发的InAlAs/InGaAs/InP QCL显示了高功率,广泛调节的MWIR激光技术的重大进步.
- 广泛的调范围和高输出功率使得这种激光器成为需要广泛光谱覆盖的光谱应用的有希望的候选者.
