高外部量子效率 (6.5%) 在600 nm的InGaN V缺陷LED上,在有图案的蓝宝石基板上

科学领域:

• 半导体物理 半导体物理
• 材料科学 材料科学 材料科学
• 光电学是指光电子产品.

背景情况:

• 长波长的印化 (InGaN) 发光二极管 (LED) 对显示器和固态照明至关重要.
• 载体注入障碍阻碍了传统的长波长化物LED的效率.

研究的目的:

• 为了调查V缺陷,工程师设计了InGaN LED,以提高效率.
• 探索侧载体注射在提高LED性能方面的作用.

主要方法:

• 在有图案的蓝宝石基板 (PSS) 上制造V缺陷工程LED和在 (Si) 上制造化 (GaN).
• 使用40周期的InGaN/GaN超网格,形成V缺陷.
• 对600nmLED的封装外部量子效率 (EQE) 的测量.

主要成果:

• 在600nm工作的0.1mm2LED中,获得了6.5%的包装外部量子效率 (EQE).
• 证明了V缺陷工程在提高LED性能方面的有效性.
• 将高EQE归因于由V缺陷促进的高效侧向载体注入.

结论:

• 维缺陷工程是一种可行的策略,可以克服长波长InGaN LED中载波注入的局限性.
• 通过V缺陷的侧向注射显著提高了化物 LED 的效率.
• 这些发现为更高效的长波长LED为先进的照明和显示应用铺平了道路.