大面积单晶六角化在先氧化铜基板上的可控生长机制

Mingxia Xu1, Ruikang Dong1,2, Xiaoshu Gong1

  • 1Key Laboratory of Quantum Materials and Devices of Ministry of Education, School of Physics, Southeast University, Nanjing 211189, China.

概括

研究人员探索在氧化铜 (Cu2O) 基板上种植高质量的二维六边形化 (2D h-BN). 这种方法促进了单向核化和更容易的原料脱,使得可控的晶圆尺度单晶h-BN生长.

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