大面积单晶六角化在先氧化铜基板上的可控生长机制
Mingxia Xu1, Ruikang Dong1,2, Xiaoshu Gong1
1Key Laboratory of Quantum Materials and Devices of Ministry of Education, School of Physics, Southeast University, Nanjing 211189, China.
The journal of physical chemistry letters
|December 18, 2023
概括
研究人员探索在氧化铜 (Cu2O) 基板上种植高质量的二维六边形化 (2D h-BN). 这种方法促进了单向核化和更容易的原料脱,使得可控的晶圆尺度单晶h-BN生长.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 表面科学是一门学科.
- 纳米技术纳米技术
背景情况:
- 二维六角化 (2D h-BN) 具有宝贵的电子和光电性能.
- 实现高质量的2D h-BN生长是材料科学中的一个重大挑战.
研究的目的:
- 从理论上研究高质量的2D h-BN.的表轴生长机制.
- 探索用于h-BN生长的预氧化和化铜 (Cu2O) 基质的使用.
主要方法:
- 在Cu2O{111}和Cu{111}表面上核化的热力学分析.
- 在不同铜基板上对原料脱的动力评估.
- 对 (B) 和 (N) 原子吸附和扩散的能源景观分析.
主要成果:
- 在对称相匹配的Cu2O(111) 表面上,h-BN的单向核化更受青.
- 在Cu2O上,h-BN前体的脱比Cu111更容易,而在Cu2O上则更容易.
- 和原子表现出对Cu2O的首选表面结合,促进表面扩散驱动的增长.
结论:
- 2O (111) 表面促进h-BN.的受控的,基于表面扩散的生长.
- 这种理论见解可以指导可扩展的单晶h-BN生产的实验策略.
- 这些发现为实现高质量的h-BN.的可控晶圆规模增长提供了途径.
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