在聚胺基板上的原子层沉积的铜薄膜的电阻得到了改进,这种改进是由In Situ ZnO介层的作用

科学领域:

• 材料科学 材料科学 材料科学
• 表面化学 表面化学
• 纳米技术 纳米技术

背景情况:

• 金属在聚合物上的低温原子层沉积 (ALD) 是很困难的,因为表面功能组和反应性有限.
• 在聚合物基板上实现符合性和导电性的金属薄膜对于灵活的电子产品至关重要.

研究的目的:

• 为了提高铜 (Cu) 在聚胺 (PI) 基板上的低温ALD.
• 研究超薄的ALD-氧化 (ZnO) 缓冲层在改善PI上的Cu沉积中的作用.
• 为了评估潜在的电子应用所产生的ALD-Cu薄膜的性能.

主要方法:

• 铜 (Cu) 的原子层沉积 (ALD) 使用Cu (hfac) 2和Et2Zn前体在120°C.
• 在聚胺 (PI) 基板上使用现场超薄的ALD-ZnO缓冲层.
• 使用传输电子显微镜 (TEM) 和能量散射X射线 (EDX) 分析进行表征.

主要成果:

• 在ALD-ZnO/PI基板上制造符合规范且连续的ALD-Cu薄膜.
• 在ALD-Cu薄膜中达到6.07μΩcm的低电阻.
• 证明ALD-ZnO缓冲层为ALD-Cu生长提供了化学吸收和核化场所.
• 证实了ALD-ZnO在改善ALD-Cu粘附和促进极地表面形成中的缓冲作用.

结论:

• ALD-ZnO有效地作为缓冲层,用于在聚合物上低温的ALD金属沉积.
• 开发的方法可以在聚胺上制造高质量的铜薄膜,用于灵活的电子应用.
• 这种方法显示出促进基于聚合物的ALD金属工艺的巨大潜力.