高基化哈夫集群在低能量剂量下可访问高分辨率EUV光电阻

科学领域:

• 材料科学 材料科学 材料科学
• 纳米技术纳米技术
• 石版画是一种刻画.

背景情况:

• 目前的极紫外线 (EUV) 光电阻面临的挑战是激进链的生长,限制分辨率和需要高剂量.
• 开发新的光电阻材料对于推进半导体制造和实现更小的特征尺寸至关重要.

研究的目的:

• 合成和评估一种基于高氧化哈夫集群的负色调EUV光电阻的新类.
• 调查EUV性能,分辨率能力和新型光电阻的机械路径.

主要方法:

• 一个高度氧化哈夫集群的合成:Hf₆O₄(OH)₈(RCO₂)₈ (集群3).
• 评估EUV光刻性能,包括分辨率和剂量要求.
• 分析涉及光解分解和脱水的机械路径.

主要成果:

• 使用EUV光刻法在30mJcm-2的低剂量下获得了18nm的高分辨率图案.
• 证明了用于电子束光刻的高分辨率图案设计能力.
• 在开发后观察到最小的薄膜厚度损失 (约13%).

结论:

• 新的光电阻设计,增加了氧化物替代,显著提高了EUV分辨率,并降低了所需剂量.
• 机理学研究揭示了EUV光在分解和脱水中的双重作用,有助于提高性能.
• 开发的基于的光电阻提供了一个有前途的替代方案,用于在先进的光刻画中高分辨率的图案.