GaAs

Christian Heyn1, Leonardo Ranasinghe1, Kristian Deneke1

  • 1Center for Hybrid Nanostructures (CHyN), University of Hamburg, Luruper Chaussee 149, 22761 Hamburg, Germany.

PubMed
概括

温度升高可使GaAs量子点 (QD) 中的激子 (X) 发射增加多达五倍. 这种由屏障驱动的激子扩散带来的效应,允许在更高的温度下运行QD,从而使其能够与紧型冷器一起使用.