在Zn/聚硫化物/有机复合基记忆器中实现热触发二元三元可切换记忆性能,通过细微调节S62-放松过程
Xiaoli Lin1, Panke Zhou1, Yiqun Gao1
1College of Chemistry, Fuzhou University, Fuzhou, Fujian 350108, China.
Inorganic chemistry
|December 22, 2023
概括
聚硫化物存储器显示基于晶体包装和连接体结构的二进制或可切换性能. 在ZnS6 ((Ombipy) 中的一种连接体上的甲基组使热触发可逆内存切换成为可能.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 化学 化学 化学
- 纳米技术 纳米技术
背景情况:
- 基于多硫化物的多层记忆器件依赖于硫化物 (S2-) 放松功能.
- 晶体包装和有机连接体侧组对S2-放松的影响尚不清楚,阻碍了设备设计.
研究的目的:
- 研究晶体包装和有机连接体结构如何影响Zn/多硫化物/有机复合物的S2-放松.
- 开发具有可调节内存性能的新型内存设备.
主要方法:
- 合成四种具有不同结构和包装方式的 Zn/多硫化物/有机复合物.
- 使用这些复合体 (FTO/复合体/Ag) 制造内存设备.
- 记忆性能 (二进制,三进制,热触发切换) 的表征和结构分析.
主要成果:
- 离子和中性复合体 (1, 2, 4) 由于凝聚联体包装而表现出二元记忆.
- 复合体3,ZnS6 (((Ombipy),证明了独特的热触发可逆二元三元切换.
- 复合体3中的甲基组在室温下抑制S2-放松,但在120°C时允许放松,由结构变化证实.
结论:
- 晶体包装和连接体结构显著影响聚硫化物装置中的S2-放松和记忆行为.
- 刺激响应性记忆器件的设计可以通过理解这些结构-属性关系来指导.
- 这些发现为需要强大的内存解决方案的专业行业的应用提供了潜力.
