一个基于振荡器的4H-SiC CMOS温度传感器,从298 K到573 K运行

Nicola Rinaldi1, Rosalba Liguori1, Alexander May2

  • 1Department of Industrial Engineering, University of Salerno, Via Giovanni Paolo II, 132, 84084 Fisciano, SA, Italy.

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概括

这项研究引入了一种新的4H-SiC CMOS振荡器电路,用于高温传感高达573K. 该传感器表现出近线性频率-温度特性,适合高级应用.