纳米结构通道用于提高混合发光场效应晶体管的发射效率
Alejandro Galán-González1,2, Piotr Pander3,4, Roderick C I MacKenzie1
1Department of Engineering, Durham University, Durham DH1 3LE, United Kingdom.
概括
在混合发光晶体管 (HLET) 中开发纳米结构通道显著提高了亮度和外部量子效率 (EQE). 这一进步利用ZnO纳米线来改善光子逃逸和电荷注入,为高效的溶液处理HLET铺平了道路.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 有机电子 有机电子
- 纳米技术 纳米技术
背景情况:
- 混合 (有机/无机) 发光晶体管 (HLET) 为先进的照明和显示技术提供了潜力.
- 提高亮度和外部量子效率 (EQE) 对HLETs的实际应用至关重要.
- 目前的HLET通常在光学性能和效率方面面临限制.
研究的目的:
- 研究HLET中增强亮度和EQE的机制.
- 开发纳米结构通道,以改善电荷传输和光外合.
- 探索ZnO纳米线 (NW) 在优化HLET性能方面的作用.
主要方法:
- 使用溶液加工的氧化/氧化 (ZTO/ZnO) 和聚合物超黄 (SY) 构成的异构结构制造HLET.
- 在ZTO/ZnO堆上生长ZnO纳米线 (NWs),形成纳米结构的电荷传输层.
- 通过调整溶液度和生长时间来优化结晶性和形态来控制NWs的合成.
主要成果:
- 结合ZnO NWs的HLET显示显著改善了亮度和EQE (≈1.1% @ 5000 cd m-2),超过了以往EQE<1%的设备.
- NW尺寸控制影响了光子逃逸效率和接触电阻,从而提高了光学性能.
- 较高的NW晶度与改善的设备效率相关.
结论:
- 纳米结构道,特别是ZnO NWs,是提高HLET性能的有效策略.
- 优化NW尺寸和晶度是实现更高发光率和EQE的关键.
- 这项工作代表了商业应用高效,全解决方案加工的HLET技术的重大进展.


