高响应的可切换宽带DUV-NIR光电探测器和可调节的发射器,通过基板上的均和垂直生长的III-V纳米线实现集成光子学的集成光子学
Huabin Yu1, Rui Wang1, Muhammad Hunain Memon1
1iGaN Laboratory, School of Microelectronics, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui, 230026, China.
Small (Weinheim an der Bergstrasse, Germany)
|December 25, 2023
概括
研究人员在上开发了一种双功能--化纳米线装置,用于宽带光检测和发射. 该设备显示了从深紫外线到近红外线的高响应性,使先进的光电子应用成为可能.
科学领域:
- 半导体纳米结构的半导体
- 光电学是指光电子产品.
- 综合光子学 综合光子学
背景情况:
- 低维的半导体纳米结构,特别是纳米线,提供高的面积比,有利于光电子设备.
- 基于的光子学是先进的集成技术的关键领域.
研究的目的:
- 开发一种偏差控制的,用于光检测和发射的双功能装置.
- 在平台上探索--化纳米线的光电子特性.
- 展示多色成像和可视化中的应用.
主要方法:
- 在平台上制造--化纳米线.
- 在不同的偏差条件下对设备的响应和光谱响应的描述.
- 对可调节光辐射的合物量子点的集成.
主要成果:
- 在反向偏差下实现了稳定,高响应率 (>200 mAW-1) 的宽带光电探测器 (254 nm1000 nm).
- 证明了深紫外线 (DUV) 光选择性,在零偏差下具有高的拒绝比率 (106).
- 通过涂层合物量子点,启用可调节的光辐射从紫外线到红色,促进多色成像和无镜色彩区分.
结论:
- 开发的设备上的III-V纳米线为集成光子学提供了新的途径.
- 该设备的多功能功能显示出对通信,传感,成像和可视化应用的承诺.
- 这项工作突出了工程半导体纳米结构在先进的光电子系统中的潜力.
