评估纳米结构的NiS2薄膜从一个单一来源的前体灵活的记忆器件的设备
Trishala R Desai1, R Sai Prasad Goud2, Tukaram D Dongale3
1Department of Chemistry, Ecole Centrale School of Engineering, Mahindra University, Hyderabad 500043, India.
ACS omega
|January 1, 2024
概括
研究人员使用二硫化 (NiS2) 纳米结构开发了一种灵活的memristor. 这种新型设备展示了稳定,非挥发性电阻切换,为先进的神经形态计算和可穿戴电子设备铺平了道路.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术 纳米技术
- 电子 电子 电子 电子 电子 电子 电子
背景情况:
- 记忆器对于下一代计算至关重要,但灵活和低成本的制造仍然是一个挑战.
- 二硫化物 (NiS2) 纳米结构具有独特的电子特性,适合用于记忆应用.
研究的目的:
- 为了证明NiS2纳米结构在非挥发性memristors的柔性基板上的*in situ*生长.
- 在各种条件下调查基于NiS2的设备的记忆性能.
主要方法:
- 从单一来源的前体中单步,溶液处理的NiS2薄膜沉积.
- 制造一个Au/NiS2/ITO/PET灵活的memristor装置.
- 在平面和曲状态下对电阻切换行为的表征.
主要成果:
- NiS2薄膜表现出宽带间隙,高表面积和多孔性.
- 灵活的memristor显示在低电压下可重现的双极电阻切换.
- 该设备表现出稳定的性能,内存窗口大约为10^2和数据保留时间长达10^4秒.
结论:
- 这项研究提出了一种可扩展的解决方案处理方法,用于制造灵活的NiS2记忆器.
- 记忆转换归因于硫离子迁移和空缺,从而实现有效的性能.
- 这项工作为神经形态计算和可穿戴电子产品提供了一个有前途的平台.
