MAPbBr₃ 基于化矿的电阻随机访问记忆,使用电子传输层进行长耐久周期和保留时间

科学领域:

• 材料科学 材料科学 材料科学
• 固态物理 固态物理
• 设备工程 设备工程

背景情况:

• 电阻式随机访问存储器 (ReRAM) 显示出数据存储的前景,因为它具有高的开启/关闭比率和低的操作电压.
• 化烯石具有优良的机械性能,但在ReRAM应用中稳定性和可靠性不佳.
• 耐力和保留时间是限制基于矿的内存设备的实际使用的关键指标.

研究的目的:

• 为了研究MAPbBr3矿对双极电阻切换记忆的潜力.
• 为了提高基于MAPbBr3的ReRAM设备的稳定性和可靠性.
• 探索电子转移材料在提高设备性能方面的作用.

主要方法:

• 使用低温全溶液工艺用MAPbBr3矿制造一个电阻开关记忆装置.
• 在MAPbBr3切换层上集成TPBI (2,2',2′′-(1,3,5-benzinetriyl) -tris(1-phenyl-1-H-benzimidazole)) 作为电子转移材料.
• 通过连续电压脉冲测试,对设备性能进行表征,包括耐久性,保留时间和开/关比.

主要成果:

• 带有TPBI的MAPbBr3装置显著提高了耐力,达到大约1000个周期,而没有TPBI的装置则达到90个周期.
• 集成设备保持了高的ON/OFF比率,超过10^7.7.
• 使用TPBI增强器件实现了超过3×10^3秒的保留时间.

结论:

• 在基于MAPbBr3的ReRAM中,TPBI在SET/RESET过程中有效地调节了导线的形成和断裂.
• 将TPBI作为电子转移材料的结合大大提高了化 Perovskite 存储器的耐用性和保留性.
• 电子转移材料显示出开发稳定可靠的化物矿记忆系统的巨大潜力.