基板温度对ZnTe:Cu薄膜的特性的影响,这些薄膜是通过磁铁子联合喷射方法制备的
Hongwei Li1, Haofei Huang1, Azhati Lina1
1School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200444, China.
Heliyon
|January 4, 2024
概括
基质温度显著影响铜合 (ZnTe:Cu) 薄膜. 较高的温度 (≥500°C) 引入一个CuxTe相,增加载体度和降低电阻,从而改善电特性.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 固态物理 固态物理
背景情况:
- Telluride (ZnTe) 是一种半导体,在光电子领域具有潜在的应用.
- 与铜 (Cu) 合ZnTe可以改变其电和光学性能.
研究的目的:
- 为了研究基板温度对磁铁子共同喷射的ZnTe:Cu薄膜的性能的影响.
- 了解结构变化和电/光学特性之间的相关性.
主要方法:
- 磁铁共喷射沉积ZnTe:Cu薄膜在玻璃玻璃上的沉积.
- 使用X射线衍射 (XRD),拉曼光谱,X射线光电子光谱 (XPS),原子力显微镜 (AFM),UV-Vis光谱光度和霍尔效应测量进行了表征.
主要成果:
- 基板温度影响ZnTe:Cu薄膜的偏好的结晶学方向,随着温度的增加,从 (111) 转移到 (220).
- 在基质温度≥500°C时,CuxTe相的出现.
- 高基板温度导致载体度增加 (>1019 cm−3) 和电阻降低 (<10−2 Ω cm).
结论:
- 基板温度是控制ZnTe:Cu薄膜结构和电气性能的一个关键参数.
- 在高温下形成的CuxTe相增强了电导率.
- 在更高温度下沉积的ZnTe:Cu薄膜在需要高载体度和低电阻的应用中表现有前途.
