概括
一个新的InGaAsP/InP埋葬异构激光器利用高阶槽面格子来简化制造和有效的单模发射. 这种设计实现了超过30dB的侧模式抑制比,证明了其对先进光子应用的潜力.
科学领域:
- 光电学是指光电子产品.
- 半导体激光器半导体激光器
- 光子学 是一个光子学.
背景情况:
- 单模式操作对于许多光子应用至关重要.
- 传统的单模激光器制造可能很复杂.
- 酸 (InGaAsP) 上的酸 (InP) 是激光器的常见材料系统.
研究的目的:
- 为了制造一个单模式的InGaAsP/InP埋葬异构结构 (BH) 激光器.
- 为了研究高级槽面格子在简化激光制造中的有效性.
- 描述单模排放性能,并了解底层机制.
主要方法:
- 一个埋藏的异构激光器的制造,结合了高阶的槽面格子.
- 激光发射频谱和侧模式抑制比 (SMSR) 的实验性表征.
- 理论计算以确定增强合在波长选择中的作用.
主要成果:
- 成功制造了一种单模式的InGaAsP/InP BH激光器,使用槽面格子.
- 在200-400 mA的电流范围内,经过SMSR> 30dB的单模发射.
- 计算表明,增强合是插槽格子对波长选择的主要机制.
- 适用于高斯式和洛伦斯式配置的测量线宽分别为1500kHz和550kHz.
结论:
- 高级槽面网格为单模BH激光器提供了一种简化的制造路线.
- 开发的激光器表现出优异的单模式性能,适合苛刻的应用.
- 增强合机制对于这种激光设计中槽格的波长选择性至关重要.
