对用于TES微热量计设计的哈夫尼薄膜的研究
Victoria Yu Safonova1,2, Anna V Gordeeva1, Anton V Blagodatkin1,2
1Superconducting Nanoelectronics Laboratory, Nizhny Novgorod State Technical University n.a. R.E. Alekseev, Minin Street, 24, 603155 Nizhny Novgorod, Russia.
Materials (Basel, Switzerland)
|January 11, 2024
概括
哈夫 (Hf) 薄膜具有超导性,临界温度在56至302mK之间. 用覆盖Hf薄膜可能会随着时间的推移稳定它们的超导特性.
科学领域:
- 固态物理 固态物理
- 材料科学 材料科学 材料科学
背景情况:
- 哈夫 (Hf) 是一种超导体,过渡温度超过100mK.
- 它的超导特性使其适用于高分辨率微热量计应用.
研究的目的:
- 为了研究海薄膜的超导特性.
- 探索正常金属接近效应对 hafnium 临界温度的影响.
- 为了解决临界温度的时间变化.
主要方法:
- 电子束蒸发被用来在Si和Al2O3基板上沉积 hafnium 薄膜 (60-115nm).
- 通过制造Hf/正常金属双层来研究近距离效应.
- 在各种薄膜配置中测量了临界温度.
主要成果:
- 测量到的临界温度在56到302mK之间.
- 观察到与普通金属的接近效应会降低临界温度.
- 在一些电影中注意到了临界温度的时间变化.
结论:
- 哈夫尼薄膜表现出可调节的超导特性.
- 提议将封闭作为一种方法来稳定哈夫的临界温度.
- 需要进一步的研究来理解和减轻时间退化.
