对于可调节的关键尺寸的区域选择性沉积的反应性蒸汽相抑制器
Lawal Adewale Ogunfowora1, Ishwar Singh1, Noel Arellano1
1International Business Machines─Almaden Research Center, San Jose, California 95120, United States.
ACS applied materials & interfaces
|January 11, 2024
概括
使用基因终结小分子抑制剂 (SMIs) 的区域选择性沉积 (ASD) 显示出对先进设备制造的前景. 这些抑制剂能够控制特定表面的膜生长,为微电子提供了新的设计参数.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 化学工程是化学工程的重要组成部分.
- 纳米技术 纳米技术
背景情况:
- 面积选择性沉积 (ASD) 对于先进的设备制造至关重要,它可以在特定材料表面上选择性膜生长.
- 传统的ASD方法面临抑制剂稳定性和前体扩散的挑战,影响制造精度.
- 具有反应性部分的小分子抑制剂 (SMIs) 提供了增强的热稳定性和受控的扩散,以改善ASD.
研究的目的:
- 为了评估基因终结小分子抑制剂 (SMIs) 对于金属选择性区域选择性沉积.
- 了解这些中小企业在不同表面上的结合机制和网络形成.
- 利用这些抑制剂,探索基于图案尺寸的薄膜生长控制.
主要方法:
- 作为金属选择性抑制剂,合成和评估基结末型SMI (propargyl,dipropargyl,tripropargylamine).
- 对铜和介电材料的表面结合分析.
- 原子层沉积 (ALD) 在有图案的基板上的增长率研究.
- 计算建模以了解抑制剂-表面相互作用和网络形成.
主要成果:
- 观察到铜和介电表面之间的SMI结合有显著的差异.
- 介电面上的残留抑制剂导致了依赖于模式尺寸的可变ALD增长率.
- 确定了一个关键维度值,在这个值以下,金属和介电特性都受到保护.
结论:
- 基因终端的SMI提供了一种可调节的方法来控制面积选择性沉积.
- 观察到的依赖于模式的增长为ASD过程提供了一个新的设计参数.
- 这种方法有可能增强现有的设备制造方案,并使新的架构成为可能.
