红外发光二极管基于性排序的碳纳米管膜
Bing Han1,2, Yahui Li3, Weifeng Wu1
1Key Laboratory for the Physics and Chemistry of Nanodevices and Center for Carbon-Based Electronics, School of Electronics, Peking University, Beijing 100871, China.
ACS applied materials & interfaces
|January 17, 2024
概括
研究人员使用排序单壁碳纳米管 (SWCNTs) 开发了近红外发光二极管. 局部兴奋剂改善了电子注入,提高了光通信应用的电光发光效率.
科学领域:
- 光电学是指光电子产品.
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术纳米技术
背景情况:
- 实现高性能近红外光源对于碳纳米管光电子技术至关重要.
- 挑战包括SWCNT性纯度,缺陷,电影质量和设备设计.
- 现有的方法面临电子注入效率的局限性,原因是斯科特基障碍.
研究的目的:
- 开发高效的近红外发光二极管 (LED),使用性排序的SWCNT.
- 为解决由聚合物残留和肖特基屏障引起的低效电子注入问题.
- 提高光电子应用的电解发光效率.
主要方法:
- 红外LED的制造使用度排序 (10, 5) 的SWCNT网络片.
- 使用不对称的 (Pd) 和 (Hf) 接触器进行充电注入.
- 使用YO-HfO2介电层的局部兴奋剂来降低SWCNT/Hf Schottky屏障.
主要成果:
- 经过证明的LED在低偏差电压下工作,在1290nm (电信O频段) 发射.
- 用YO-HfO2进行局部兴奋剂成功地降低了SWCNT/Hf接口上的Schottky屏障.
- 在没有光学合的情况下,实现了超过0.05%的外部量子效率.
结论:
- 局部兴奋剂是一种有效的策略,可以提高基于SWCNT的LED的电子注入和电光效率.
- 奇拉性排序的SWCNT LED显示出对芯片上的光学互连和短距离光纤通信的希望.
- 进一步的改进可以实现集成到数据中心的单体光电子系统.
