使用快速化双缓冲层对化α-Ga₂O₃副层进行控制的结晶性

科学领域:

• 材料科学 材料科学 材料科学
• 半导体物理 半导体物理

背景情况:

• 氧化 (Ga₂O₃) 是一个有前途的超宽带隙半导体.
• 在外来基质上实现高质量的表轴生长仍然是一个挑战.

研究的目的:

• 为了提高化的α-Ga₂O₃薄膜的晶体质量和电气性能.
• 为了研究双缓冲层和快速热的效果.

主要方法:

• 雾化学蒸汽沉积 (Mist-CVD) 用于种植-化α-Ga₂O₃.
• 使用 (Al_xGa_1-x) ₂O₃/Ga₂O₃双层的缓冲层.使用的缓冲层是:
• 在700-800°C的温度下进行快速热 (RTA).

主要成果:

• 双层缓冲层有效地阻断了基质诱导的位移.
• RTA促进了相混合 (κ和β相),通过横向过度生长增强了结晶性.
• 由于更光滑的接口和Al扩散,提高了电子的移动性.

结论:

• 双缓冲层和RTA的结合方法对Ga₂O₃的表层非常有效.
• 这种方法提供了一条更快的途径,在Ga₂O₃设备中获得优越的电性能.