在低温下减少部的缩小,在CF₄/H₂/Ar等离子体中对SiO₂进行面积比蚀刻

科学领域:

• 材料科学 材料科学 材料科学
• 等离子体物理学的物理学
• 半导体制造业 半导体制造业

背景情况:

• 对二氧化 (SiO2) 的面比蚀刻对于微电子制造至关重要.
• 控制蚀刻档案,如和曲,对于高比例结构至关重要.
• 温度对等离子蚀刻过程的影响需要详细研究.

研究的目的:

• 为了研究温度对SiO2.2的面比蚀刻的影响.
• 分析温度如何影响蚀刻速率,面积比和轮特征.
• 为了阐明不同温度下SiO2的蚀刻机制.

主要方法:

• 在CF4/H2/Ar等离子中对有图案的SiO2样品 (200nm沟) 进行反应离子蚀刻 (RIE).
• 光学发射光谱 (OES) 用于等离子体属性监测.
• 能量分散式X射线光谱 (EDX) 用于表面组成分析.

主要成果:

• 较低的温度导致较高的SiO2蚀刻速率和尺寸比.
• 等离子体属性与体温度保持不变.
• 在较低的温度下降的削比率对蚀刻速率和面积比率产生了积极的影响.
• 在较低的温度下降的弧度比表明了定向离子蚀刻.

结论:

• 降低温度可以通过增加蚀刻速率和角比来提高SiO2面比蚀刻.
• 在较低的温度下减少首是提高蚀刻性能的关键因素.
• 这些发现表明中性物种和定向离子蚀刻的粘合系数较低.