通过导管的大动脉植入后的心脏损伤和导电障碍
François Damas1, Mai-Linh Nguyen Trung1, Adriana Postolache1
1Department of Cardiology, CHU Sart Tilman, GIGA Cardiovascular Sciences Liège, University of Liège Hospital, 4000 Liège, Belgium.
Journal of clinical medicine
|January 23, 2024
概括
与大动脉狭窄相关的心脏损伤分期 (ASCDS) 系统可以预测通过导管大动脉植入 (TAVI) 后的导电障碍. 更高的ASCDS等级与新的左捆分支阻塞,心房动和永久心脏起器植入的风险增加有关.
科学领域:
- 心脏病学 心脏病学
- 心脏电生理学 心脏电生理学
背景情况:
- 大动脉狭窄 (AS) 是一种重要的心血管疾病.
- 一个新的分期系统,AS相关心脏损伤分期 (ASCDS),量化心脏损伤在AS.
- ASCDS与死亡率和不良临床结果有关.
研究的目的:
- 为了调查ASCDS和传导系统障碍之间的关系,经过过导管大动脉植入 (TAVI).
主要方法:
- 根据ASCDS,经过TAVI的119名严重AS患者被分为三组.
- 导电障碍包括新的左捆分支阻塞 (LBBB),高度心房阻塞 (HD-AVB) 和阳性心房动 (AF) 在TAVI后被评估.
- 在ASCDS组中比较了永久心脏起器植入率 (PPMI).
主要成果:
- 34%的患者在TAVI后发展出新的LBBB,10%的患者在TAVI后发展出HD-AVB.
- 在最低的ASCDS组中没有出现HD-AVB; LBBB在高年级组中频繁出现.
- 随着ASCDS等级的提高, Paroxysmal AF和PPMI的发病率显著增加 (p=0.012).
结论:
- ASCDS可以作为一种有价值的工具,用于识别患有TAVI后传导异常风险较高的患者.
- 阶段测定系统可以帮助预测TAVI后是否需要永久性起器植入.
