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Updated: Jul 4, 2026
15:47
Nanofabrication of Gate-defined GaAs/AlGaAs Lateral Quantum Dots
Published on: November 1, 2013
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提高AlGaN/GaN高电子移动性晶体管的无线电频率性能,使用欧姆蚀刻模式用于Ka频段应用
Ming-Wen Lee1,2, Cheng-Wei Chuang1, Francisco Gamiz2
1International College of Semiconductor Technology, National Yang Ming Chiao Tung University (NYCU), Hsinchu City 30010, Taiwan.
Micromachines
|January 23, 2024
概括
欧姆蚀刻模式 (OEP) 改进了用于Ka频段应用的AlGaN/GaN高电子流动性晶体管 (HEMT). 1微米线OEP HEMT显示了增强的射频性能,包括高切断和振荡频率.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 电气工程 电气工程
- 半导体设备 半导体设备
背景情况:
- 高电子移动性晶体管 (HEMT) 对于高频应用至关重要.
- 提高射频 (RF) 性能和降低HEMT中的电阻对于先进的通信系统至关重要.
研究的目的:
- 调查欧姆蚀刻模式 (OEP) 对AlGaN/GaN HEMTs的影响.
- 优化OEP设计,以在Ka频段应用中提高射频性能.
- 为了降低源和排水阻力,以改善设备特性.
主要方法:
- 用各种OEP制造AlGaN/GaN HEMT (1微米孔,3微米孔,1微米线,3微米线).
- 测量小信号性能,大信号性能和最小噪声值 (NF).
- 使用负载拉动测量进行切断频率 (fT),最大振荡频率 (fmax) 和输出功率密度 (Pout,max) 的表征.
主要成果:
- 1微米线 OEP HEMT 的最佳切断频率 (fT) 为 36.4 GHz,最大振荡频率 (fmax) 为 158.29 GHz.
- 在28GHz的1.94W/mm的最大输出功率密度 (Pout,max) 是通过1μm线 OEP HEMT.实现的.
- 对于1微米线OEP HEMT,在28 GHz记录了1.75dB的优化最小噪声 (NF) 值.
- 由于米金属和AlGaN.之间的接触面积增加,接触阻力降低.
结论:
- 1微米线OEP HEMT设计显著提高了Ka频段应用的射频性能.
- OEP有效地降低了源和排水电阻,从而提高了设备的性能.
- 制造的OEP HEMT显示了下一代高频电子设备的潜力.
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