在4H-SiC的表上出现的缺陷,通过刺激子重组来揭示
Francesca Migliore1, Marco Cannas1, Franco Mario Gelardi1
1Department of Physics and Chemistry Emilio Segre, University of Palermo, Via Archirafi 36, 90123 Palermo, Italy.
概括
这项研究表明,4H-SiC表轴层中的载体寿命在晶圆上各不相同,尽管存在均的兴奋剂. 这种变化与分布不均的缺陷和基质相互作用有关,影响电荷载体重组.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 半导体物理 半导体物理
背景情况:
- 4H-碳化物 (4H-SiC) 是用于高功率和高频电子产品的关键宽带差半导体.
- 在制造高性能4H-SiC器件时,表轴生长是关键.
- 了解载体寿命对于设备的效率和可靠性至关重要.
研究的目的:
- 为了研究4H-SiC表层中载体寿命的空间均性.
- 为了确定影响载体寿命变化的因素,在晶圆.
- 为了将载体寿命与材料特性和基板特性相关联.
主要方法:
- 采用了非侵入性表征技术.
- 微拉曼光谱和稳定状态吸收光谱评估了兴奋剂的一致性.
- 时间分辨率光发光谱测量了载体寿命,通过监测3.2 eV的激发波段.
主要成果:
- 在6英寸的4H-SiC晶片中证实了兴奋剂的一致性.
- 航母的寿命表现出显著的位置依赖.
- 载体寿命的变化归因于缺陷 (杂质,点缺陷,扩展缺陷) 和基质兴奋剂变异的不均分布.
结论:
- 载体寿命的空间变化存在于4H-SiC表轴层中,独立于兴奋剂同质性.
- 缺陷分布和基质相互作用是影响载体重组和寿命的主要因素.
- 这些发现对于优化表轴生长过程和改善4H-SiC设备性能至关重要.
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