在热后的过程中,CuxO膜的结构相位转换和电阻切换特性
Juwon Seo1, Taeyoung Kim1, Yoonsok Kim1
1Department of Physics and Research Institute for Convergence of Basic Sciences, Hanyang University Seoul, 04763, Republic of Korea.
Nanotechnology
|January 25, 2024
概括
铜氧化物薄膜被化以研究其相变和电阻切换. 优化的回火条件产生了具有优异电阻随机访问内存性能的氧化铜薄膜.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 固态物理 固态物理
- 设备工程 设备工程
背景情况:
- 氧化铜 (CuxO) 是电子设备的一个有前途的材料.
- 了解相位转换和电阻切换对于设备优化至关重要.
研究的目的:
- 为了研究CuxO薄膜的相变和电阻切换特性.
- 评估CuxO在电阻随机存储器 (ReRAM) 应用中的潜力.
主要方法:
- 使用射频磁喷射来沉积CuxO薄膜.
- 薄膜在300,500和700°C时经过快速热 (RTA) 处理.
- 制造和测试了具有Au/CuxO/p+Si结构的ReRAM设备.
主要成果:
- 化引发了从Cu2O到CuO的相变,随着温度的增加.
- 基于CuO的ReRAM设备表现出电阻切换,而Cu2O设备则没有.
- 在500°C时炼的CuO ReRAM设备显示出最佳性能:开/关比为8×102,~100周期耐久性和104秒的数据保留.
结论:
- 热后回火对CuxO薄膜的相位和电性有很大的影响.
- 优化了CuxO的RTA,可以为ReRAM应用程序提供稳定和优越的电阻切换.
- Cu2O和CuO之间的颗粒大小和缺陷密度的差异解释了观察到的切换行为.


