在多晶钻石基板上生长的 κ-Ga2O3薄膜的结构和光电子特性
Marco Girolami1, Matteo Bosi2, Sara Pettinato1,3
1Istituto di Struttura della Materia, Consiglio Nazionale delle Ricerche (ISM-CNR), Sede Secondaria di Montelibretti, DiaTHEMA Lab, Strada Provinciale 35D, 9, 00010 Roma, Italy.
Materials (Basel, Switzerland)
|January 26, 2024
概括
研究人员在钻石基板上生长了氧化物 (Ga2O3) 薄膜. 缓慢的冷却过程对于高质量的薄膜至关重要,使新的混合装置能够用于辐射检测.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 半导体物理 半导体物理
- 薄膜技术 薄膜技术
背景情况:
- 氧化 (Ga2O3) 是一种带宽半导体,具有有前途的电子和光学性能.
- 钻石以其卓越的导热率和机械硬度而闻名.
- 结合这些材料的异构结构可能会导致先进的电子设备.
研究的目的:
- 首次在多晶钻石基板上生长orthorhombic κ-Ga2O3 薄膜.
- 研究这些异构结构的结构,形态,电气和光电子特性.
- 确定最佳的后生长条件,以提高薄膜质量和设备性能.
主要方法:
- 金属有机蒸汽相表皮氧 (MOVPE) 用于在650°C的薄膜生长.
- 结构和形态特征包括X射线衍射和光学显微镜.
- 通过电流-电压测量和光谱光导性来评估电气和光电子性能.
主要成果:
- 在独立的多晶钻石基板上成功地生长了orthorhombic κ-Ga2O3.
- 在低压 (100 mbar) 下的缓慢冷却过程中,控制流量显著改善了薄膜质量,粘合力和形态.
- 通过优化冷却程序观察到电气活性缺陷的密度降低.
结论:
- 缓慢冷却对于钻石上高质量的 κ-Ga2O3 表是必不可少的.
- 开发的异构结构显示了新型混合架构的潜力.
- 这些发现为使用宽带间隙半导体的先进紫外线和电离辐射探测器铺平了道路.
关键词:
在X射线中,X射线的衍射效果是不同的.这是一个钻石钻石.电气特性 电气特性氧化的氧化.光学显微镜的光学显微镜.频谱光导性 光导性 频谱光导性蒸汽阶段的表达力 (epitaxy)宽带间隙半导体的半导体更多相关视频
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