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Updated: Jul 4, 2025

10:17
20 mJ, 1 ps Yb:YAG Thin-disk Regenerative Amplifier
Published on: July 12, 2017
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概括
研究人员为被动Q开关激光器合成了 tungsten diselenide (WSe2) 和化 (BN) 异质连接. 这种新型的WSe2/BN和吸收器能够有效地产生2微米左右的脉冲激光.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 激光物理 激光物理
- 纳米技术 纳米技术
背景情况:
- 开发先进的和吸收器对于脉冲激光系统至关重要.
- 二化 (WSe2) 和化 (BN) 是光电子应用的有希望的二维材料.
- WSe2和BN的异质连接为激光调制提供了独特的特性.
研究的目的:
- 为了合成和描述WSe2/BN异质连接.
- 为了研究WSe2/BN异质连接在Tm:YAP激光中作为和吸收器的性能.
- 为了优化激光参数的被动Q开关操作.
主要方法:
- 液相脱皮用于WSe2/BN异质连接合成.
- 合成材料的微观结构特征.
- 将WSe2/BN异质连接集成到Tm:YAP激光腔中进行Q切换.
主要成果:
- 成功合成和表征WSe2/BN异质连接.
- 使用WSe2/BN可和吸收器演示Tm:YAP激光器的被动Q开关操作.
- 在波长大约2微米时,达到834mW的最大平均输出功率.
- 优化了空洞参数 (输入镜曲率半径250毫米,输出合器传导率2.5%) 以获得最佳性能.
- 获得的最小脉冲持续时间为1.28μs,峰值功率为14.97W,单个脉冲能量为19.17μJ.
结论:
- 对于被动Q开关的Tm:YAP激光器,WSe2/BN异质连接是有效的和吸收器.
- 开发的激光系统对于需要脉冲激光输出大约2微米的应用具有显著的潜力.
- 优化共振器设计是最大限度地提高激光性能的关键.

