低值的2μm InAs/InP量子点线激光器,通过间歇增长来启用

科学领域:

• 光子学和光电学和光电子学.
• 半导体激光器半导体激光器
• 纳米技术 纳米技术

背景情况:

• 2微米光子学和光电子学对于光通信,LiDAR和化学传感等应用至关重要.
• 基于酸 (InP) 的2μm增益材料与0D纳米结构的开发是有限的.
• 越来越需要2微米波长范围内的高效激光源.

研究的目的:

• 为了证明低值,使用InAs量子点击/InP激光器在2微米处进行连续波 (CW) 激光.
• 为了研究这些激光器在各种操作条件下 (SPW,QCW,CW) 的性能.
• 为了评估开发的激光设备的热稳定性.

主要方法:

• 使用InAs量子线条嵌入InP矩阵制造波导激光器.
• 在量子结构中使用间歇增长技术.
• 特性激光性能包括值电流密度,激光波长和热稳定性 (T0).

主要成果:

• 实现的低门电流密度:657 A/cm2 (SPW),1183 A/cm2 (QCW) 和1944 A/cm2 (CW) 对于7.1微米宽的波导激光器.
• 展示了以1.97μm为中心的连续波激光,与光发光学研究一致.
• 在SPW模式下观察到良好的热稳定性,特征温度 (T0) 为43K.

结论:

• 开发的InAs量子点击/InP激光器使得有效的2μm波长发射成为可能.
• 间断增长方法是有效的创建高性能0D纳米结构增益材料.
• 这些激光器是未来2微米光通信和传感系统的关键技术.