高灵敏度和超宽范围的NH3传感器阵列通过精确控制Cl2Ndi单晶表面上的阶段缺陷

Bin Lu1, Matthias Stolte2, Dong Liu1

  • 1State Key Laboratory of Crystal Materials and Institute of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, 250100, China.

概括

本研究在n型单晶上引入可控制的表面步骤,以创建具有高灵敏度和广泛检测范围的氨 (NH3) 传感器,从而能够精确地定位蒸汽泄漏.