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Lingyu Meng1, Jialin Bai1, Taiying Zhou1
1Key Lab of Physics and Technology for Advanced Batteries (Ministry of Education), College of Physics, Jilin University, Changchun 130012, China.
具有内存能力的量子点发光二极管 (QLED) 通过插入氧化层来开发. 这一创新使QLED能够存储信息并提高智能电子应用的功率效率.
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