低泄漏电流核心外AlGaN纳米光LED设备在紫外线B频段工作
Jeong-Kyun Oh1, Dae-Young Um1, Bagavath Chandran1
1Division of Advanced Materials Engineering, Engineering College, Research Center for Advanced Materials Development (RCAMD), Jeonbuk National University (JBNU), Jeonju 54896, Republic of Korea.
ACS applied materials & interfaces
|February 7, 2024
概括
研究人员开发了一种新的金属有机化学蒸气沉积 (MOCVD) 方法,以改进基于酸 (AlGaN) 的紫外线-B发光二极管 (UV-B LED). 这种新的方法提高了下一代UV-BLED的发光效率.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 光电学是指光电子产品.
- 半导体物理 半导体物理
背景情况:
- 基于化 (AlGaN) 的紫外线-B发光二极管 (UV-B LED) 在光疗和紫外线固化等应用中表现有前途.
- 目前UV-B LED的发展受到低发光效率的阻碍.
研究的目的:
- 在AlGaN纳米基结构上引入AlGaN多个井 (MWs) 的新型表生长机制.
- 通过金属有机化学蒸汽沉积 (MOCVD) 加强对AlGaN MW高度和厚度的控制.
主要方法:
- 使用了基于水平反应堆的MOCVD与调整的H2载气流量.
- 在结构稳定性分析中使用阴极光发光 (CL).
- 使用传输电子显微镜 (TEM) 来确认核心结构的形成.
主要成果:
- 从基板中实现了AlGaN井和p-AlGaN层的受控分离.
- 证明了稳定,非极化的核心外AlGaN量子井,波长峰值一致.
- 确认了独特的275nm AlGaN核心和295nm AlGaN外结构.
- 观察到显著改善的电光发射 (EL) 峰值强度和减少的泄漏电流.
结论:
- 新的生长机制和非极化的核心外AlGaN结构提供了一条大大提高UV-BLED效率的途径.
- 这一进步对于开发下一代高效的紫外线LED至关重要.
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