在含量高的基板上制备多薄膜及其对Cu外扩散的影响
Qingxu Zhang1,2, Zaifu Zhou2, Yijun Shen3
1College of Chemistry and Chemical Engineering, College of Materials Science and Engineering, Qingdao University Qingdao 266071 China wangzonghua@qdu.edu.cn.
RSC advances
|February 9, 2024
概括
中的铜扩散被多薄膜减少,这些薄膜有效地捕获金属. 多层聚结构进一步增强了这种动效应,这对于半导体制造至关重要.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 半导体物理 半导体物理
- 表面化学 表面化学
背景情况:
- 了解铜扩散对于半导体设备的可靠性至关重要.
- 添加的是微电子学中的基本基板材料.
- 表面被铜等金属污染会降低设备的性能.
研究的目的:
- 在各种储存温度下研究合的中铜的扩散行为.
- 评估RCA清洗在去除表面铜的有效性.
- 评估聚薄膜对铜外扩散的影响.
主要方法:
- 对铜扩散动力学的实验研究.
- 使用定量方法进行表面度分析.
- 用RCA清洁去除铜的应用.
- 低压化学蒸汽沉积 (LPCVD) 用于聚薄膜制备.
主要成果:
- 表面铜度最初增加,然后在25°C和85°C的储存期间下降.
- RCA清洁有效地去除了外扩散的表面铜.
- 聚膜显著抑制了铜外扩散.
- 多层多结构显示出增强的铜结能力.
结论:
- 聚薄膜作为有效的基板中的铜位.
- 的机制包括通过谷物边界和无序结构来捕捉.
- 多层多结构提供优越的摇摆,由于增加了接口面积.
