通过氨酸修饰的 ZnO 纳米粒子电子注射层提高反转量子点发光二极管的效率

科学领域:

• 材料科学 材料科学 材料科学
• 纳米技术纳米技术
• 光电学是指光电子产品.

背景情况:

• ZnO纳米粒子 (NP) 通常用于量子点发光二极管 (QLED) 中的电子注射层 (EIL).
• ZnO NP EILs可以导致量子点 (QD) 发射层 (EML) 中的电荷不平衡和刺激火,从而限制设备的效率.

研究的目的:

• 为了克服QLED中ZnO NP EILs的局限性.
• 通过引入氨酸 (Arg) 间层 (IL) 来改善电荷平衡并减少激电灭.

主要方法:

• 在倒置的QLED (IQLED) 中,在ZnO NP EIL上引入了一层阿基宁中间层.
• 研究了Arg IL的工作功能修改和绝缘特性.
• 测量和比较了设备性能指标,包括当前效率和外部量子效率 (EQE).

主要成果:

• Arg IL提高了 ZnO NPs 的工作功能,抑制了电子注入,改善了电荷平衡.
• 由于Arg IL的绝缘性,可以防止QD和ZnO NP之间的直接接触,从而减少激电火.
• 与没有IL的设备相比,具有20nmArg IL的IQLED显示电流效率增加了2.22倍,EQE增加了2.28倍.
• 性能也优于使用聚乙烯胺IL的IQLED.

结论:

• 氨酸中间层有效地提高电荷平衡,并抑制基于ZnO NP的QLED中的激发火.
• 使用Arg IL显著提高了倒置QLED的效率和性能.